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KCT012N10N场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流330A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 1.5mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),最大限度地减少导电损耗,提高效率;100% DVDS测试、100% 雪崩测试、?符合JEDEC标准,稳定可靠,在电机控制和驱动...
www.kiaic.com/article/detail/6089.html 2025-12-09
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1.在U1负半周时,UAB=-U2,二极管D26导通,D25截止,给电容C82充电,充电完成后,UC82=UCA=U2;2.U1从负半周变为正半周时,二极管D25导通,D26截止,此时C82和电源电压均向电容C85充电(电能从C82转移到C85),即UC85=UDB=2*U2;
www.kiaic.com/article/detail/6088.html 2025-12-09
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倍压整流电路是利用二极管单向导通的特性和电容两端电压不能突变且可以存储能量的特性,使得能量逐步往后级输送,同时线路上的电压也逐渐升高,所以就有了二倍压、三倍压、多倍压整流电路。
www.kiaic.com/article/detail/6087.html 2025-12-09
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KCT017N10N场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流259A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;符合JEDEC标准,100%DVDS测试、100%雪崩测试,确保可靠性和稳定性,适用于电机控制和驱动、...
www.kiaic.com/article/detail/6086.html 2025-12-08
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无刷直流电机由电动机主体和驱动器组成,是一种典型的机电一体化产品。由于无刷直流电动机是以自控式运行的,所以不会像变频调速下重载启动的同步电机那样在转子上另加启动绕组,也不会在负载突变时产生振荡和失步。
www.kiaic.com/article/detail/6084.html 2025-12-08
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PCB电路板的原理导电层设计?:通过蚀刻工艺在覆铜板上形成预设的电路图案,铜箔作为导电介质传递电信号。?绝缘基材?:通常采用FR-4玻璃纤维环氧树脂,提供机械支撑并隔离不同电路层。
www.kiaic.com/article/detail/6083.html 2025-12-08
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KNY3004B场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流120A,采用先进沟槽技术制造,?极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ,最大限度地减少导电损耗,超低栅极电荷、低交叉,开关速度快,高效低耗;CdV/dt效应下降极佳、100% ΔVds测试 、100% UIS测试,能够在额定工作条件下稳...
www.kiaic.com/article/detail/6082.html 2025-12-05
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电源芯片在一个器件上集成了一个700V高压MOSFET 开关和一个电源控制器,与普通的PWM 控制器不同,它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。控制器包括一个振荡器、使能电路、限流状态调节器、5.8V 稳压器、欠电压即过电压电路、限流选择电路、过热保护、电流...
www.kiaic.com/article/detail/6081.html 2025-12-05
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OBC的全称是On-Board Charger,即车载充电机。它固定安装在电动汽车内部,功能作用是:将来自外部(如家庭插座、公共交流充电桩)的交流电,转换成直流电,为车辆的动力电池进行充电。
www.kiaic.com/article/detail/6080.html 2025-12-05
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KNB3308A?场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流80A,极低导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ,最大限度地减少导电损耗,低栅极电荷、低交叉,开关速度快,高效低耗;具有高雪崩电流,能够在额定工作条件下稳定运行,确保电路的安全可靠性,无铅和绿色设计,符合环保要求,...
www.kiaic.com/article/detail/6079.html 2025-12-04
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车载充电机的输入端连接市电电网(单相或三相交流电),首先需通过电磁干扰滤波器(EMI Filter)抑制电网中的高频噪声,防止对车辆电子系统造成干扰。随后,输入电压经整流电路转换为脉动直流电,为后续DC-DC转换提供基础。
www.kiaic.com/article/detail/6078.html 2025-12-04
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DFN8封装尺寸长度:约2-4mm(部分器件可达5-6mm,如VBGQA1202N的5×6mm封装)。宽度:与长度相近,约2-4mm。厚度:约0.35-0.9mm。
www.kiaic.com/article/detail/6077.html 2025-12-04
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28n50场效应管漏源击穿电压500V,漏极电流28A,极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω,最大限度地减少导电损耗,低栅极电荷、低交叉,开关速度快,高效低耗;100% 雪崩失效率、提高dv/dt能力、符合RoHS标准,稳定可靠;具有良好的开关特性,能够承受较大的耐压和电流,...
www.kiaic.com/article/detail/6076.html 2025-12-03
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引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种,引脚中心距为2.54mm,引脚数从6-64;适合在PCB上穿孔焊接,操作方便,体积比较大
www.kiaic.com/article/detail/6075.html 2025-12-03